Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JAN2N6690
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Stud
- Seri / Aile Numarası
- JAN2N6690
JAN2N6690 Hakkında
JAN2N6690, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistor (BJT) olup, stud mount konfigürasyonunda sunulmaktadır. 400V Collector-Emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maksimum 3W güç dağıtım kapasitesine sahip olan bu transistör, -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. 100µA maksimum collector cutoff akımı ve 1A akımda 15 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle karakterize edilmiştir. TO-61-4 ve TO-211MA paket seçenekleriyle sunulan JAN2N6690, güç amplifikasyon, anahtarlama ve düşük frekanslı sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 1A, 3V |
| Mounting Type | Stud Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TA) |
| Package / Case | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3 W |
| Supplier Device Package | TO-61 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 5A, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok