Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JAN2N6212
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-213AA
- Seri / Aile Numarası
- JAN2N6212
JAN2N6212 Hakkında
JAN2N6212, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörüdür (BJT). TO-66 (TO-213AA) through-hole paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 300V collector-emitter breakdown voltajı ile çeşitli endüstriyel ve askeri elektronik devrelerinde, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve güç kontrol uygulamalarında yer almaktadır. Maksimum 1A collector akımı ve 3W güç disipasyonu kapasitesine sahip olan komponent, -55°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında sorunsuz çalışır. 1.6V saturation voltajı ve minimum 30 hFE DC current gain değerleriyle stabil bir anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 1A, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TA) |
| Package / Case | TO-213AA, TO-66-2 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3 W |
| Supplier Device Package | TO-66 (TO-213AA) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 125mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok