Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JAN2N5666U3
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-276AA
- Seri / Aile Numarası
- JAN2N5666
JAN2N5666U3 Hakkında
JAN2N5666U3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. TO-276AA through-hole paketinde sunulan bu transistör, 200V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.2W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile karakterize edilir. 40 minimum DC current gain (hFE) değerine sahip olan komponent, -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Collector cutoff akımı maksimum 200nA olup, 1V maksimum saturation voltajı ile low-power sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında yer alır. Endüstriyel ve askeri sertifikasyon gereksinimleri için JAN versiyonu olarak tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-276AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.2 W |
| Supplier Device Package | U-3 (TO-276AA) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 1A, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok