Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JAN2N5660U3
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- JAN2N5660
JAN2N5660U3 Hakkında
JAN2N5660U3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount U3 paketinde sunulan bu bileşen, 200V collector-emitter breakdown voltajı ve 2W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. DC current gain (hFE) 40 değerinde (500mA, 5V koşullarında) belirtilmiştir. Vce saturation voltajı maksimum 800mV'dir. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Düşük collector cutoff akımı (200nA) ile karakterizedir. Anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devreleri ve genel elektronik tasarımlarda yaygın olarak kullanılan bir komponentin standart versiyonudur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 500mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | U3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 400mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok