Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N5416U4

NPN TRANSISTOR

Paket/Kılıf
3-SMD
Seri / Aile Numarası
JAN2N5416

JAN2N5416U4 Hakkında

JAN2N5416U4, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipinde bir bipolar junction transistör (BJT) bileşenidir. Surface mount 3-SMD kasa tipinde sunulan bu transistör, maksimum 1W güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 300V collector-emitter breakdown voltajı, geniş sıcaklık aralığında (-65°C ile 200°C arasında) çalışma kapasitesi sunar. DC akım kazancı (hFE) 30 @ 50mA, 10V koşullarında ölçülmüştür. Collector akımı maksimum 1mA, VCE doyum voltajı 2V @ 5mA, 50mA'dir. Sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve düşük akımlı uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package U4
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok