Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N5415U4

NPN TRANSISTOR

Paket/Kılıf
3-SMD
Seri / Aile Numarası
2N5415

JAN2N5415U4 Hakkında

JAN2N5415U4, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 200V collector-emitter breakdown voltajı ve 50mA maksimum collector akımı kapasitesi ile güç amplifikasyonu, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde kullanılır. Surface Mount 3-SMD No Lead paketinde sunulan bu bileşen, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-65°C ~ 200°C) güvenilir performans sağlar. 1W maksimum güç dağıtımı ile endüstriyel elektronik, sensör uygulamaları ve kontrol sistemlerinde yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 µA
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package U4
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok