Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N5014S

NPN TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-205AD
Seri / Aile Numarası
JAN2N5014

JAN2N5014S Hakkında

JAN2N5014S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Through Hole montaj türüne sahiptir. Maksimum 200mA kollektör akımı, 900V bozulma voltajı ve 1W güç kapasitesiyle orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. -65°C ile +200°C arasında çalışabilir. TO-39 metal kutu paketi ile sunulan bu transistör, özellikle anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 20mA, 10V koşullarında minimum 30 değerine sahiptir. Ürün statüsü obsolete olmakla birlikte, uygun uygulamalarda başarılı şekilde kullanılabilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 200 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok