Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JAN2N5013S
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- 2N5013
JAN2N5013S Hakkında
JAN2N5013S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. TO-39 metal kutu paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 200mA collector akımı ve 800V collector-emitter breakdown voltajına sahiptir. 30 minimum DC current gain (hFE) ile -65°C ile +200°C arasında çalışabilen bu transistör, güç uygulamalarında ve amplifikasyon devrelerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1W maksimum güç derecelendirmesi ile orta güç uygulamalarına uygun olan JAN2N5013S, endüstriyel ve savunma sektörü standartlarına uygun olarak üretilmiştir. Part status obsolete olmakla beraber, eski tasarımların bakım ve onarımında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 800 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok