Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JAN2N5012S
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- JAN2N5012S
JAN2N5012S Hakkında
JAN2N5012S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-39 metal kutu paketinde sunulmaktadır. 200mA maksimum kollektor akımı ve 700V collector-emitter breakdown voltajı ile orta düzey güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. DC current gain (hFE) en az 30 değerindedir. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. Maksimum 1W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Endüstriyel uygulamalar, kontrol devreleri, anahtarlama devreleri ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilebilir. Parça durumu itibariyle üretimi durdurulmuş olup, stok kontrol önemlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 25mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok