Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N5012

NPN TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-205AA
Seri / Aile Numarası
2N5012

JAN2N5012 Hakkında

JAN2N5012, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar transistördür. 200mA maksimum collector akımı ve 700V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışan bu transistör, Through Hole montaj türüne sahiptir. TO-5-3 Metal Can paketinde sunulan komponent, -65°C ile +200°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. 30 minimum DC Current Gain (hFE) ve 1W maksimum güç disipasyonu karakteristiklerine sahiptir. Yüksek voltaj uygulamalarında, amplifikasyon devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 200 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 25mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-5
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 700 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok