Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JAN2N3999
TRANS NPN 80V 10A TO59
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Stud
- Seri / Aile Numarası
- 2N3999
JAN2N3999 Hakkında
JAN2N3999, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli NPN bipolar transistördür. TO-59 stud mount paketinde sunulan bu bileşen, 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 10A maksimum collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 10µA collector cutoff akımı ve 2V maksimum saturasyon voltajı ile düşük kaçak akımı ve etkin anahtar özelliği sunar. DC current gain (hFE) değeri 1A/2V koşullarında minimum 80 olarak belirtilmiştir. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip olan transistör, 2W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile motor kontrolü, amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Chassis mount tasarımı endüstriyel ve askeri uygulamalara uygunluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 2V |
| Mounting Type | Chassis, Stud Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-210AA, TO-59-4, Stud |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | TO-59 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 500mA, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok