Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N3960UB

TRANS NPN 12V UB

Paket/Kılıf
3-SMD
Seri / Aile Numarası
JAN2N3960

JAN2N3960UB Hakkında

JAN2N3960UB, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. 12V collector-emitter breakdown voltajı ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. 400mW maksimum güç dissipasyonu ve 60 minimum DC current gain (hFE) özellikleriyle amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde çalışır. Surface mount UB paketinde sunulan bu transistör, -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 300mV saturation voltajı ile düşük kayıp çalışması sağlar. Sinyal amplifikasyon, anahtarlama, impuls üreteç ve kontrol devrelerinde uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 1V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 400 mW
Supplier Device Package UB
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 3mA, 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok