Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JAN2N3960
TRANS NPN 12V TO-18
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Seri / Aile Numarası
- 2N3960
JAN2N3960 Hakkında
JAN2N3960, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. TO-18 metal kasa paketlemesiyle sağlanan bu komponent, 12V'a kadar Vce darbelenme gerilimi ve 400mW maksimum güç kapasitesiyle tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 1V'ta minimum 60 değerine sahiptir. Kolektör kesme akımı maksimum 10µA'dir. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen bu transistör, darbe ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve düşük frekanslı RF uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipiyle PCB'lere entegre edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 1V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 400 mW |
| Supplier Device Package | TO-18 (TO-206AA) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 30mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok