Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JAN2N3749
TRANS NPN 80V 5A TO111
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Stud
- Seri / Aile Numarası
- 2N3749
JAN2N3749 Hakkında
JAN2N3749, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-111-4 stud mount paketinde sunulmaktadır. 80V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 5A maksimum collector akımı ile orta güçlü uygulamalar için tasarlanmıştır. 2W maksimum güç derecelendirmesi ile güç amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde kullanılabilir. Minimum 40 DC current gain (hFE) değeri kontrollü amplifikasyon sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-65°C ~ 200°C) ile endüstriyel ve askeri uygulamalardaki güvenilir performans sunar. Chassis ve stud montajı desteği ile heatsink entegrasyonunu kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 2V |
| Mounting Type | Chassis, Stud Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-111-4, Stud |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | TO-111 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok