Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N3637UB

TRANS PNP 175V 1A

Paket/Kılıf
3-SMD
Seri / Aile Numarası
JAN2N3637

JAN2N3637UB Hakkında

JAN2N3637UB, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek voltaj PNP bipolar transistördür. 175V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güçlü uygulamalarda kullanılır. SMD paketinde sunulan bu transistör, 100 minimum DC current gain değerine sahiptir ve 600mV saturation voltajında çalışır. -65°C ile +200°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilme kapasitesi nedeniyle endüstriyel ve havacılık uygulamalarında tercih edilir. Anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve sinyal işlemede kullanılan bu PNP transistör, aktif part durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 1.5 W
Supplier Device Package 3-SMD
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 175 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok