Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N3637

TRANS PNP 175V 1A

Paket/Kılıf
TO-205AD
Seri / Aile Numarası
2N3637

JAN2N3637 Hakkında

JAN2N3637, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 175V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-39 metal can paketinde sunulan bu transistör, ses amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 1W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve askeri uygulamalara uygundur. 100 minimum DC akım kazancı (hFE @ 50mA, 10V) ve 600mV saturation voltajı ile güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 175 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok