Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JAN2N3507AU4
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3507
JAN2N3507AU4 Hakkında
JAN2N3507AU4, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount U4 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1W güç tüketimi ve 50V Vce(BR)CEO kırılma gerilimi ile orta-düşük güç uygulamalarına uygundur. 35 minimum DC akım kazancı (hFE), 1.5V saturasyon gerilimi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ile +200°C) sayesinde endüstriyel ve askeri uygulamalarda kullanılabilir. Anahtarlama devreleri, ses frekansı amplifikatörleri ve genel sinyal yönetimi uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 500mA, 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | U4 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok