Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JAN2N3506U4
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- JAN2N3506
JAN2N3506U4 Hakkında
JAN2N3506U4, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 3-SMD No Lead paket içinde sunulmaktadır. Maksimum 1W güç tüketimine sahip olan bu komponent, 40V Vce breakdown voltajı ile çalışır. -65°C ile +200°C arasında geniş bir çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 500mA Ic değerinde 1V Vce koşulunda DC current gain (hFE) değeri minimum 50 olarak belirlenmiştir. 250mA emitter akımı ve 2.5A collector akımında maksimum 1.5V saturation voltajı sağlar. Düşük collector cutoff akımı (1µA) nedeniyle hassas anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. Aktif durumda olan bu komponent, endüstriyel ve askeri uygulamalar için JAN sertifikasına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | U4 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok