Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N3501UB

TRANS NPN 150V 0.3A TO39

Paket/Kılıf
3-SMD
Seri / Aile Numarası
2N3501

JAN2N3501UB Hakkında

JAN2N3501UB, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, 150V collector-emitter gerilimi ve 300mA maksimum collector akımı ile çalışır. TO39 metal kasa paketlemesine sahip bu transistör, geniş sıcaklık aralığında (-65°C ile +200°C arasında) işletilmesi mümkündür. 500mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile lineer amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) minimum 100 değerinde olup, düşük kolektör cutoff akımı (10µA ICBO) ile hassas devrelerde tercih edilmektedir. Audio frekans amplifikatörleri, sinyal yükselteçleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 300 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package UB
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok