Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N3501U4/TR

TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT

Paket/Kılıf
3-SMD
Seri / Aile Numarası
2N3501

JAN2N3501U4/TR Hakkında

JAN2N3501U4/TR, Microchip Technology tarafından üretilen küçük sinyal NPN bipolar junction transistördür. Surface mount 3-SMD No Lead paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 300mA kolektör akımı ve 150V collector-emitter breakdwon voltajı ile çalışabilir. DC akım kazancı (hFE) 150mA kolektör akımında ve 10V VCE değerinde minimum 100'dür. 1W maksimum güç yönetim kapasitesine sahip olan transistör, -65°C ile 200°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleeri, RF amplifikasyon ve düşük sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Aktif parça durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 300 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package U4
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok