Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JAN2N3500U4
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- JAN2N3500
JAN2N3500U4 Hakkında
JAN2N3500U4, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount 3-SMD No Lead paketinde sunulmaktadır. 300 mA maksimum collector akımı ve 150 V breakdown voltajına sahip bu bileşen, 40 minimum DC current gain (hFE) değeri ile orta güç uygulamalarda kullanılabilir. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen ve maksimum 1 W güç tüketen JAN2N3500U4, endüstriyel kontrol devreleri, sinyal anahtarlaması, güç yönetimi uygulamaları ve genel amaçlı transistor işlevlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. Düşük ICBO (50 nA) ve 400 mV saturation voltajı ile kompakt ve güvenilir bir anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | U4 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok