Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N3419S

TRANS NPN 80V 3A

Paket/Kılıf
TO-205AD
Seri / Aile Numarası
2N3419

JAN2N3419S Hakkında

JAN2N3419S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-39 metal kaplı kasa ile sunulmaktadır. 80V maksimum Collector-Emitter gerilimi ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 1W güç tüketim kapasitesine sahip bu bileşen, -65°C ile +200°C arasında çalışabilmektedir. 20 minimum DC current gain (hFE) değeri ve 500mV maksimum doyum gerilimi ile güvenilir anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri sağlar. Through-hole montaj tipi ile PCB'lere doğrudan monte edilebilir. Kontrol devreleri, amplifikatörler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Cutoff (Max) 5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 2V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok