Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N3250AUB/TR

TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
JAN2N3250

JAN2N3250AUB/TR Hakkında

JAN2N3250AUB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen small-signal PNP bipolar junction transistor (BJT) komponentdir. Surface mount 4-SMD No Lead paket tipi ile sağlanan bu transistör, en yüksek 20mA kolektör akımı ve 60V kolektör-emitter açılma gerilimi ile çalışır. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 1V koşullarında minimum 50 değerinde ölçülür. 360mW maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahip olan komponent, -65°C ile +200°C arasında geniş bir sıcaklık aralığında çalışabilir. Vce doyum gerilimi 5mA taban akımında ve 50mA kolektör akımında maksimum 500mV dir. Sinyal işleme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve düşük güç amplifikatör tasarımlarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 nA
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 1V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 4-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 360 mW
Supplier Device Package UB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok