Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JAN2N3250AUB
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- JAN2N3250
JAN2N3250AUB Hakkında
JAN2N3250AUB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount 4-SMD No Lead (UB) pakette sunulmaktadır. Maksimum 60V Vce(BR)O breakdown voltajı ve 360mW güç dissipasyonu kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu transistör, minimum 50 hFE DC akım kazancı sağlar. Maksimum 20nA collector cutoff akımı ve 500mV saturation voltajı (Vce) özellikleri ile düşük sızıntı ve iyi switching performansı sunmaktadır. Anahtarlama, amplifikasyon ve dar sinyal uygulamalarında, özellikle de yüksek frekanslı darbe devreleri ve akım kaynağı uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 360 mW |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok