Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N3019

TRANS NPN 80V 1A TO39

Paket/Kılıf
TO-205AD
Seri / Aile Numarası
2N3019

JAN2N3019 Hakkında

JAN2N3019, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal kaplı kasa ile sağlanan bu transistör, maksimum 1A kolektör akımı ve 80V yıkılma gerilimi ile çalışabilir. 800mW güç dağıtım kapasitesi bulunan komponent, geniş sıcaklık aralığında (-65°C ile 200°C) kullanılabilir. Minimum 50 DC kazanç (hFE) ile güçlendiriciler, anahtarlar ve sinyal işleme devrelerinde uygulanır. Düşük 500mV saturasyon gerilimi sayesinde verimli anahtarlama performansı sunar. Elektronik cihazlardaki enerji kontrol, güç yönetimi ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 500mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TO-39
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok