Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

JAN2N2919U/TR

TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
JAN2N2919U

JAN2N2919U/TR Hakkında

JAN2N2919U/TR, Microchip Technology tarafından üretilen dual NPN bipolar transistördür. 3-SMD, No Lead paketinde sunulan bu transistör, küçük sinyal uygulamaları için tasarlanmıştır. 30mA maksimum kollektör akımı ve 60V Vce breakdown voltajı ile çeşitli devre konfigürasyonlarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 1mA, 5V koşullarında minimum 150'dir. 350mW maksimum güç tüketimi ile sınırlı güç bütçesine sahip uygulamalarda tercih edilir. Amplifikasyon, switching ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 30mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 200°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 350mW
Supplier Device Package 3-SMD
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok