Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N2907AUB/TR

TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT

Paket/Kılıf
Seri / Aile Numarası
JAN2N2907A

JAN2N2907AUB/TR Hakkında

JAN2N2907AUB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen küçük sinyal PNP bipolar junction transistörüdür. 600mA maksimum kollektör akımı ve 60V maksimum Vce breakdöwn voltajı ile çeşitli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 500mW güç dissipasyonu kapasitesi ve -65°C ile 200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve askeri uygulamalara uygun kılar. Surface mount paketinde sunulan bu transistör, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreler, ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok