Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N2907AUB

TRANS PNP BJT 60V 0.6A

Paket/Kılıf
Seri / Aile Numarası
2N2907A

JAN2N2907AUB Hakkında

JAN2N2907AUB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tip bipolar junction transistördür (BJT). 60V maksimum Vce breakdown voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılan genel amaçlı bir transistördür. 500mW güç dağıtımı kapasitesi ve 100 minimum DC current gain (hFE) değeri ile çeşitli switching ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. Surface mount pakette sunulan bu bileşen, -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Gürültü filtreleme, ses amplifikasyonu, kontrol devreleri ve logic gate uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok