Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N2906AUB/TR

TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
JAN2N2906A

JAN2N2906AUB/TR Hakkında

JAN2N2906AUB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen küçük sinyal PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount 4-SMD, No Lead paketinde sunulan bu bileşen, 600mA maksimum collector akımı ve 60V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir. DC current gain değeri 150mA ve 10V koşullarında minimum 40'tır. 500mW maksimum güç dağıtma kapasitesi ve geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-65°C ~ 200°C) sayesinde endüstriyel uygulamalarda kullanılmaya uygundur. Sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve güç kontrolü devrelerinde yaygın olarak tercih edilen bir transistördür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 4-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package UB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok