Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N2906AUB

TRANS PNP 60V 0.6A 3UB

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
2N2906A

JAN2N2906AUB Hakkında

JAN2N2906AUB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount 4-SMD, No Lead paketinde sunulan bu transistör, maksimum 60V collector-emitter voltajı ve 600mA collector akımı ile çalışabilir. 500mW güç dissipasyonu kapasitesi ve geniş -65°C ile 200°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve askeri uygulamalara uygundur. DC current gain (hFE) minimum 40 değeri ile amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Switching devreleri, ses amplifikatörleri, motor kontrolü ve genel sinyal yükseltme uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 4-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package UB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok