Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N2605UB/TR

TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
JAN2N2605

JAN2N2605UB/TR Hakkında

JAN2N2605UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tip küçük sinyal bipolar junction transistörlüdür. Surface mount 4-SMD paketinde sunulan bu bileşen, Collector-Emitter gerilimi maksimum 60V ve maksimum güç dağılımı 400mW ile karakterize edilir. Minimum DC akım kazancı (hFE) 500µA akım ve 5V gerilimde 150'dir. Doyum gerilimi maksimum 300mV (500µA taban akımında, 10mA collector akımında) olup, yüksek elektron boşluğu mobilite özellikleri vardır. Geniş işletim sıcaklık aralığı -65°C ile +200°C arasında çalışabilir. Düşük collector kesme akımı (10nA) sayesinde statik güç tüketimi minimize edilir. Analog sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve ses frekansı devrelerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 10 nA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 500µA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 4-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 400 mW
Supplier Device Package UB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok