Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N2604UB

NPN TRANSISTOR

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
2N2604

JAN2N2604UB Hakkında

JAN2N2604UB, Microchip Technology tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistor (BJT) olup, yüksek güvenilirlik gereken uygulamalar için tasarlanmıştır. 60V Vce(br)dss darbeye dayanıklılığı ve 400mW maksimum güç tüketimi ile çeşitli analog ve dijital devre uygulamalarında kullanılır. DC current gain (hFE) değeri 500µA ve 5V'te minimum 60 olup, düşük frekanslı amplifikatör, anahtar ve darbe devre uygulamalarında yer alabilir. -65°C ile 200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, otomotiv ve endüstriyel elektronik uygulamaları için uygundur. Surface mount 4-SMD No Lead paketinde sunulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 10 nA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 500µA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 4-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 400 mW
Supplier Device Package UB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok