Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N2219A

TRANS NPN 50V 0.8A

Paket/Kılıf
TO-205AD
Seri / Aile Numarası
JAN2N2219A

JAN2N2219A Hakkında

JAN2N2219A, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 800mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-39 metal kutu paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 1V saturation voltajı ve minimum 100 DC current gain ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. 800mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile ses amplifikatörleri, kontrol devreleri ve genel sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj türü ile geleneksel PCB tasarımlarına entegre edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TO-39
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok