Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JAN2N1711S
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- 2N1711
JAN2N1711S Hakkında
JAN2N1711S, Microchip Technology tarafından üretilen düşük güç NPN silikon transistördür. TO-39 metal can pakajda sunulan bu bileşen, 500mA maksimum kollektör akımı ve 800mW maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle çalışır. 30V kollektör-emitter bozulma gerilimi ve 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Vce doyum gerilimi 1.5V ve çok düşük ICBO kaçak akımı (10nA) özellikleriyle endüstriyel ve askeri uygulamalar için JAN sınıflandırması almıştır. Through-hole montaj tipi ile eski ve yeni tasarımlarda yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 15mA, 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok