Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N1613L

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-205AA
Seri / Aile Numarası
JAN2N1613L

JAN2N1613L Hakkında

JAN2N1613L, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi silikon güç transistörüdür. Maksimum 500mA collector akımı ve 800mW güç dağıtımına sahip bu bileşen, 30V collector-emitter breakdown voltajıyla çalışır. TO-205AA (TO-5) metal kaplı kasa içinde gelmekte olup, through-hole montajı desteklemektedir. -65°C ile 200°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. 1.5V saturation voltajı ve minimum 40 hFE DC current gain karakteristiği ile genel amaçlı anahtarlama uygulamaları, darbe devreler ve orta güç amplifikasyon devrelerinde kullanılmaya elverişlidir. JAN serisi standartları gereği üretilen bileşen, askeri ve endüstriyel uygulamalarda da tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TO-5
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok