Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
JAN1N6912UTK2AS/TR
DIODE POWER SCHOTTKY
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- ThinKey™2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- JAN1N6912
JAN1N6912UTK2AS/TR Hakkında
JAN1N6912UTK2AS/TR, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 45V DC reverse gerilim ile çalışabilen bu bileşen, ortalama 25A doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. ThinKey™2 yüzey montaj paketinde sunulan diyot, 640mV ileri gerilim düşümü ile hızlı recovery karakteristiğine (≤500ns) sahiptir. Güç uygulamalarında, anahtarlı güç kaynakları, invertörler ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -65°C ile 150°C arasında çalışabilme yeteneği endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında emniyetli işletim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1000pF @ 5V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 25A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1.2 mA @ 45 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Package / Case | ThinKey™2 |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | ThinKey™2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 45 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 640 mV @ 25 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok