Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

JAN1N6629U

DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Paket/Kılıf
SQ-MELF
Seri / Aile Numarası
JAN1N6629U

JAN1N6629U Hakkında

JAN1N6629U, Microchip Technology tarafından üretilen hızlı iyileştirme diyotudur. 800V ters gerilim ve 1.4A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile genel amaçlı uygulamalarda kullanılmaya uygundur. E-MELF (SQ-MELF) yüzey monte pakajında sağlanan bu bileşen, 50ns ters iyileştirme zamanı ile anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, invertörler ve AC/DC dönüştürücülerde tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen JAN1N6629U, endüstriyel ve askeri uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) 1.4A
Current - Reverse Leakage @ Vr 2 µA @ 800 V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 150°C
Package / Case SQ-MELF, E
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 50 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package D-5B
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.4 V @ 1.4 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok