Zener Diyotlar - Tekil
JAN1N6312US/TR
DIODE ZENER 3.3V 500MW MELF
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Zener Diyotlar - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- JAN1N6312
JAN1N6312US/TR Hakkında
JAN1N6312US/TR, Microchip Technology tarafından üretilen 3.3V nominal gerilimli Zener diyottur. 500mW güç kapasitesi ile tasarlanmış olan bu bileşen, SQ-MELF yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. ±5% tolerans aralığında üretilen komponentin maksimum reverse leakage akımı 1V'te 5µA'dır. 27 Ohm maksimum impedans değerine sahip olan bu Zener diyot, -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklıklarında kullanılabilir. Volt regülasyonu, EMI filtreleme ve aşırı gerilim koruması uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 1A akımda maksimum forward voltajı 1.4V'tur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1 V |
| Impedance (Max) (Zzt) | 27 Ohms |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SQ-MELF, B |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
| Tolerance | ±5% |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4 V @ 1 A |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3.3 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok