Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
JAN1N5809US
DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- JAN1N5809
JAN1N5809US Hakkında
JAN1N5809US, Microchip Technology tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme diyodudur. 100V ters gerilim ve 6A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. 30ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount B-MELF paketi ile güç kaynakları, denetim devreleri ve AC/DC dönüştürücülerde yer alır. -65°C ile 175°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Maksimum forward voltajı 4A'de 875mV'tur. Ters kaçak akımı 100V'da 5µA ile sınırlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | SQ-MELF, B |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok