Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

JAN1N5809URS

DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Paket/Kılıf
SQ-MELF
Seri / Aile Numarası
JAN1N5809

JAN1N5809URS Hakkında

JAN1N5809URS, Microchip Technology tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. 100V ters gerilim ve 3A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahiptir. SQ-MELF B paketinde sunulan bu diyot, 30ns reverse recovery time ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -65°C ile 175°C arasında çalışan bu komponent, doğrultma devrelerinde, enerji kaynağı uygulamalarında, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS) ve inverter devreleri gibi yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount montaj tipi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 3A
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 100 V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Package / Case SQ-MELF, B
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 30 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package B, SQ-MELF
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 875 mV @ 4 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok