Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
JAN1N5809
DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- JAN1N5809
JAN1N5809 Hakkında
JAN1N5809, Microchip Technology tarafından üretilen genel amaçlı standart doğrultma diyotudur. 100V ters voltaj (Vr) kapasitesi ve 6A ortalama doğrultulmuş akım (Io) ile tasarlanmıştır. Fast recovery karakteristiğine sahip olup, 30 ns ters kazanım süresine (trr) ve 875 mV ön yönlü gerilime (Vf) sahiptir. Through hole axial kasa tipinde üretilen bu bileşen, -65°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç kaynağı devreleri, inverter uygulamaları, motor kontrol sistemleri ve genel doğrultma uygulamalarında kullanılır. 5 µA maksimum ters akım kaçağı ile güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | B, Axial |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok