Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
JAN1N5807US
DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- JAN1N5807
JAN1N5807US Hakkında
JAN1N5807US, Microchip Technology tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. 50V ters gerilim ve 6A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle, güç kaynakları, invertörler ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 30ns'lik düşük reverse recovery time (trr) sayesinde yüksek frekanslı doğrultma işlemlerinde verimli çalışır. Surface mount B-MELF paketinde sunulan bu diyot, -65°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 875mV forward voltage @ 4A özelliğine sahiptir. Yüksek güç yoğunluğu gerektiren endüstriyel ve telekomunikasyon uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | SQ-MELF, B |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok