Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
JAN1N5622US
DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- JAN1N5622US
JAN1N5622US Hakkında
JAN1N5622US, Microchip Technology tarafından üretilen 1 kV reverse voltaj ve 1 A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bir standart doğrultucu diyottur. Surface mount D5A paketi içinde gelen bu bileşen, -65°C ile +200°C arasında çalışabilen geniş bir sıcaklık aralığına sahiptir. 2 µs reverse recovery time'ı ve 1,3 V maksimum forward voltajı ile güç kaynakları, converterler ve doğrultucu devrelerde kullanılmaya uygun bir genel amaçlı diyottur. 500 nanoamper reverse leakage akımı ile kapalı durumda çok düşük sızıntı akımı gösterir ve standart recovery hızına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 200°C |
| Package / Case | SQ-MELF, A |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2 µs |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | D-5A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok