Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
JAN1N5417US
DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- JAN1N5417
JAN1N5417US Hakkında
JAN1N5417US, Microchip Technology tarafından üretilen standart doğrultma diyodudur. 200V ters voltaj kapasitesi ve 3A ortalama doğrultulmuş akım ile genel amaçlı güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Fast recovery karakteristiği (≤500ns) sayesinde yüksek frekanslı devre tasarımlarında verim kaybını azaltır. B-MELF yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. -65°C ile 175°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ve askeri uygulamalarda güvenilir performans sağlar. Ters sızıntı akımı 200V'da maksimum 1µA ile çok düşük kaçak akıma sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | SQ-MELF, B |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 9 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok