Transistörler - JFET

J177,126

JFET P-CH 30V 400MW TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
J177

J177,126 Hakkında

NXP Semiconductors tarafından üretilen J177,126, P-channel JFET transistördür. 30V drain-source voltaj (Vdss) ve 400mW maksimum güç derecelendirmesine sahip bu bileşen, TO-92-3 (TO-226-3) paketinde sunulmaktadır. 1.5mA drain akımı (Idss) ve 300Ω RDS(on) direnci ile karakterize edilen cihaz, uydu haberleşme, ses işleme ve analog anahtar uygulamalarında kullanılır. 8pF input kapasitans ve 30V breakdown voltajı ile RF ve hassas sinyal kontrol devreleri için uygun özelliklere sahiptir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Bileşen şu anda üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.5 mA @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8pF @ 10V (VGS)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 400 mW
Resistance - RDS(On) 300 Ohms
Supplier Device Package TO-92-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 800 mV @ 10 nA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok