Transistörler - JFET
J113,126
JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- J113
J113,126 Hakkında
J113,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. 40V drain-source gerilimi (Vdss) ve 400mW maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir. TO-92-3 paketinde hazırlanan bu transistör, 2mA Idss değeri ve 100 ohm RDS(on) ile düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve frekans uygulamalarında kullanılır. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışabilir. 6pF giriş kapasitansi (Ciss) ve 40V çöküş gerilimi (V(BR)GSS) özellikleriyle analog elektronik devreler, ses amplifikatörleri ve RF uygulamalarında tercih edilir. Bileşen artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 2 mA @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 10V (VGS) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 400 mW |
| Resistance - RDS(On) | 100 Ohms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 500 mV @ 1 µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok