Transistörler - JFET

J113

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
J113

J113 Hakkında

J113, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel JFET (Junction Field-Effect Transistor) türü küçük sinyal transistörüdür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında sinyal değiştirme ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 2 mA Idss değeri ve 100 Ohm RDS(On) direnci ile analog sinyal işleme, ses devreleri, ölçüm enstrümanları ve kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen J113, 625 mW maksimum güç yeteneğine sahiptir. 35 V breakdown voltajı ve 500 mV cutoff voltajı ile güvenilir ve stabil performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2 mA @ 15 V
FET Type N-Channel
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power - Max 625 mW
Resistance - RDS(On) 100 Ohms
Supplier Device Package TO-92-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 35 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 500 mV @ 1 µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok