Transistörler - JFET

J112

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
J112

J112 Hakkında

J112, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Junction Field-Effect Transistor (JFET) cinsi küçük sinyal transistörüdür. TO-92-3 DIP paketinde sunulan bu bileşen, analog anahtarlama, zayıf sinyal amplifikasyonu ve voltaj kontrollü direnç uygulamalarında kullanılır. 625 mW maksimum güç yeteneği ve 50 Ohm RDS(On) değeri ile düşük gürültülü preamplifier, mikser devre ve ses işleme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
FET Type N-Channel
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power - Max 625 mW
Resistance - RDS(On) 50 Ohms
Supplier Device Package TO-92-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 35 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok