Transistörler - JFET
J112-D27Z
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- J112
J112-D27Z Hakkında
J112-D27Z, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel JFET (Junction Field-Effect Transistor) küçük sinyal transistörüdür. TO-92-3 paketinde sağlanan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 5 mA drain akımı (Idss @ Vds=15V) ve 50 Ohm RDS(On) direnci ile düşük güç tüketimli devre tasarımlarına uyygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 625 mW maksimum güç yönetebilir. 35V gate-source breakdown voltajı ve 1V cutoff voltajı ile hassas analog ve dijital devre uygulamalarında tercih edilir. Gürültü düşük uygulamalar, buffer kademeleri ve analog anahtarlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5 mA @ 15 V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Resistance - RDS(On) | 50 Ohms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 35 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1 V @ 1 µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok