Transistörler - JFET

J112-D27Z

JFET N-CH 35V 625MW TO92-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
J112

J112-D27Z Hakkında

J112-D27Z, onsemi tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, 35V breakdown voltajı ve 625mW maksimum güç derecelendirmesine sahiptir. 5mA drain akımı (Idss) ve 50 ohm RDS(On) direnci ile düşük sinyalli uygulamalarda, anahtarlama devrelerinde ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, hassas ölçüm cihazları, ses işleme devreleri ve kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through-hole monte edilmesi nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5 mA @ 15 V
FET Type N-Channel
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Active
Power - Max 625 mW
Resistance - RDS(On) 50 Ohms
Supplier Device Package TO-92-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 35 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1 V @ 1 µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok